@InProceedings{SilvaRoss:2015:InMoFo,
author = "Silva, Elias Oliveira Paulo da and Rossi, Jos{\'e} Osvaldo",
affiliation = "{Universidade Paulista (UNIP)} and {Instituto Nacional de
Pesquisas Espaciais (INPE)}",
title = "Integra{\c{c}}{\~a}o e montagem de uma fonte moduladora de pulso
de 10KV/5 A/10 µS a partir de um prot{\'o}tipo experimental",
year = "2015",
organization = "Semin{\'a}rio de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica e
Inicia{\c{c}}{\~a}o em Desenvolvimento Tecnol{\'o}gico e
Inova{\c{c}}{\~a}o",
publisher = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais",
address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos, SP",
abstract = "O objetivo do projeto {\'e} o desenvolvimento de um pulsador
compacto com tens{\~o}es de sa{\'{\i}}da de 10 kV, empregando
um n{\'u}cleo magn{\'e}tico de liga met{\'a}lica (Metglas), o
qual possui um valor alto de satura{\c{c}}{\~a}o de
indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica (1,5 T). Uma t{\'e}cnica de
tratamento, chamada de implanta{\c{c}}{\~a}o i{\^o}nica, para
melhorar a resist{\^e}ncia {\`a} corros{\~a}o e aumentar a
dureza de materiais aeroespaciais, foi o motivo do in{\'{\i}}cio
do projeto em 2006 a qual utiliza pulsos de alta tens{\~a}o de
v{\'a}rios kV. No LAP/INPE, est{\'a} sendo utilizada uma fonte
de 4 KV/2 A constru{\'{\i}}da em 2006, que consiste num
modulador compacto composto por um conversor DC acionado por uma
chave semicondutora IGBT com tr{\^e}s transformadores de pulso
com n{\'u}cleo de ferrita ligados em s{\'e}rie, o que eleva o
tempo de subida para mais de 3µs, causado pela liga{\c{c}}{\~a}o
paralela/s{\'e}rie dos enrolamentos prim{\'a}rios e
secund{\'a}rios. Portanto, um dos principais objetivos do
projeto, a partir 2012, foi o de desenvolver uma novo pulsador
similar com apenas um transformador de pulso com n{\'u}cleo de
ferrita, que pudesse alcan{\c{c}}ar 10 kV com tempo de subida de
pulso menor do que 1µs, baseado nesta fonte de 4 kV/2A. Contudo, o
n{\'u}cleo de ferrita apresenta um baixo valor de
satura{\c{c}}{\~a}o de indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica (0,3
T), limitando a tens{\~a}o m{\'a}xima obtida em 5 kV. Deste
modo, o programa de Inicia{\c{c}}{\~a}o Cient{\'{\i}}fica
iniciado em agosto/2014 teve como objetivo principal o
aprimoramento do projeto, utilizando um novo n{\'u}cleo de
Metglas com alto valor de indu{\c{c}}{\~a}o magn{\'e}tica e
menor n{\'u}mero de espiras no secund{\'a}rio para a
diminui{\c{c}}{\~a}o da indut{\^a}ncia de dispers{\~a}o e,
consequentemente, redu{\c{c}}{\~a}o do tempo de subida de pulso.
Entretanto, no momento o fator limitante para se atingir 10 kV
usando o n{\'u}cleo parece residir no circuito de driver da chave
semicondutora IGBT que limita a tens{\~a}o de sa{\'{\i}}da em
4-5 kV novamente, elevando o tempo de subida de pulso para mais de
4µs, aproximadamente, devida {\`a} alta corrente de porta da
chave requerida. No presente trabalho, estamos desenvolvendo uma
nova t{\'e}cnica de circuito de porta que permitir{\'a} que o
dispositivo IGBT chaveie rapidamente com r{\'a}pidos tempos de
subida de pulso, n{\~a}o limitando a tens{\~a}o de
sa{\'{\i}}da, usando para isto um driver especial de 30 A.",
conference-location = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos, SP",
conference-year = "30-31 jul.",
language = "pt",
ibi = "8JMKD3MGP3W34P/3K23NDE",
url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34P/3K23NDE",
urlaccessdate = "27 abr. 2024"
}